福建慧芯激光申请GaAs基长波长雪崩光电二极管专利，实现长波长APD在成本、性能与可靠性上的显著突破_资讯

福建慧芯激光申请GaAs基长波长雪崩光电二极管专利，实现长波长APD在成本、性能与可靠性上的显著突破

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2026-01-30 17:42:24

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国家知识产权局信息显示，福建慧芯激光科技有限公司申请一项名为“一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121419351A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括GaAs衬底、变形生长层、InP基APD功能层；所述变形生长层用于实现GaAs衬底到InP基APD功能层的晶格常数过渡；所述InP基APD功能层包括n型接触层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和窗口层，电荷层由本征材料层经过离子注入C元素后形成。本发明通过在GaAs衬底上集成变形生长层，并与特殊的电荷层工艺协同，构建了一套完整的低成本高性能解决方案；前者解决了在廉价衬底上生长高质量InP基材料的根本性晶格失配难题，实现了单片集成；后者则消除了传统掺杂的氢钝化问题，实现了对击穿电压与增益的精确、稳定控制；二者结合共同实现了长波长APD在成本、性能与可靠性上的显著突破。

天眼查资料显示，福建慧芯激光科技有限公司，成立于2019年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1477.2497万人民币。通过天眼查大数据分析，福建慧芯激光科技有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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