华虹宏力申请提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构专利，显著提升隔离环的穿通电压_资讯

华虹宏力申请提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构专利，显著提升隔离环的穿通电压

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2026-01-28 18:14:42

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构及其制造方法”的专利，公开号CN121398089A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构，包括P型衬底、高压器件区和隔离环区。隔离环区包括P型埋层、分别位于该P型埋层两侧的两个N型埋层、以及位于该P型埋层和两个N型埋层下方的P型注入层，该P型注入层的掺杂浓度高于P型衬底。本发明通过在隔离环的埋层结构下方设置更高掺杂浓度的P型注入层，能够有效阻断P型衬底内的穿通电流路径，从而在不影响高压器件性能的前提下，显著提升隔离环的穿通电压，增强了集成电路的可靠性。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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