龙驰半导体申请复合衬底及其制备方法专利，解决界面电阻高问题_资讯

龙驰半导体申请复合衬底及其制备方法专利，解决界面电阻高问题

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2026-01-28 11:43:52

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国家知识产权局信息显示，苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“一种复合衬底及其制备方法”的专利，公开号CN121398465A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种复合衬底及其制备方法。复合衬底包括4H‑SiC基板，4H‑SiC基板的碳面形成有第一热氧化层。3C‑SiC基板，3C‑SiC基板的表面形成有第二热氧化层。第一热氧化层与第二热氧化层融合形成键合层，以使4H‑SiC基板与3C‑SiC基板键合。并且，键合层用于引发缺陷辅助隧穿。本申请提供的复合衬底可以解决现有技术中3C‑SiC衬底与4H‑SiC衬底直接键合导致界面电阻高的问题。

天眼查资料显示，苏州龙驰半导体科技有限公司，成立于2022年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本19634.4449万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州龙驰半导体科技有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息76条，此外企业还拥有行政许可32个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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