长江存储申请半导体器件及其制备方法专利，提升存储器系统性能_资讯

长江存储申请半导体器件及其制备方法专利，提升存储器系统性能

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2026-01-23 12:10:57

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储器系统”的专利，公开号CN121368129A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统，其中半导体器件包括连接层、叠层结构和第一接触结构。叠层结构沿第一方向位于连接层的一侧。第一接触结构包括第一介质填充部以及围绕第一介质填充部的第一导电层，其中第一介质填充部和第一导电层均沿第一方向在叠层结构中延伸，并与连接层接触。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1441次，财产线索方面有商标信息974条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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