苏州凌存科技申请硅电容器及其制备方法专利，可在扩展电容器的带宽的同时降低生产成本_资讯

苏州凌存科技申请硅电容器及其制备方法专利，可在扩展电容器的带宽的同时降低生产成本

创始人

2026-01-22 17:14:14

0次

国家知识产权局信息显示，苏州凌存科技有限公司申请一项名为“一种硅电容器及其制备方法”的专利，公开号CN121368171A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种硅电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供的硅电容器包括：硅晶圆，包括相对设置的上表面和下表面；硅晶圆的上表面的中心区域设有多个沟槽，沟槽的开口与硅晶圆的上表面齐平；在硅晶圆的上表面无沟槽区域和沟槽内设有介电层薄膜；在介电层薄膜上表面、与中心区域对应位置处设有硅电容的上电极；在介电层薄膜上表面、与硅电容的上电极间隔第一预设距离处，设有MIM电容的上电极，硅电容和MIM电容的上表面齐平；金属线，金属线连接硅电容和MIM电容的上表面；在硅晶圆的下表面和金属线的上表面分别设有第一电极和第二电极。本申请提供的硅电容器及其制备方法，可在扩展电容器的带宽的同时降低生产成本。

天眼查资料显示，苏州凌存科技有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1117.5891万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州凌存科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法科技投资降低生产凌存电容器表面带宽专利苏州电极硅晶圆硅电容介电层硅电

上一篇：乾照光电（300102）1月22日主力资金净买入3.66亿元

下一篇：大东南：公司将继续加大在特高压用电容膜的研发，保持竞争力

苏州凌存科技申请硅电容器及其制备方法专利，可在扩展电容器的带宽的同时降低生产成本

相关内容

热门资讯