华虹宏力申请元胞区结构及其制作方法专利，获得更小栅漏电容_资讯

华虹宏力申请元胞区结构及其制作方法专利，获得更小栅漏电容

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2026-01-21 18:38:32

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“元胞区结构及其制作方法”的专利，公开号CN121357952A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种元胞区结构及其制作方法，所述元胞区结构，包括：自下而上顺序形成在衬底及外延层上的阱注入、源注入和接触孔介质层，屏蔽栅介质层形成在深沟槽中，屏蔽栅多晶硅形成在屏蔽栅介质层中，第二栅多晶硅形成在屏蔽栅多晶硅上方的栅氧化介质层中，P型外延形成在屏蔽栅多晶硅两侧的深沟槽中。本发明在保持原有屏蔽栅结构基础上，能够降低因不同介质层材料导致的应力匹配问题，获得更小栅漏电容。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造显示多晶硅投资上海华虹介质导体结构专利栅漏介质层屏蔽栅元胞区

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