华虹宏力申请控制栅测试电压产生电路及测试沟道电流方法专利，提高判断浮栅写入深度的精确度_资讯

华虹宏力申请控制栅测试电压产生电路及测试沟道电流方法专利，提高判断浮栅写入深度的精确度

创始人

2026-01-21 18:12:16

0次

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“控制栅测试电压的产生电路及测试沟道电流的方法”的专利，公开号CN121354644A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种控制栅测试电压的产生电路及测试沟道电流的方法，方法包括：选择待要测试的存储单元；接入第一电压VCGR和存储单元的信息地址，通过控制栅测试电压的产生电路获取第一控制栅测试电压CG1和第二控制栅测试电压CG0；将第一控制栅测试电压CG1和第二控制栅测试电压CG0分别施加到该存储单元的第一控制栅和第二控制栅上；读取存储单元的浮栅下方沟道的电流；增加控制栅测试电压的产生电路的第二电压VPP，调节第二电压VPP同时读取浮栅下方沟道电流，当达到参考电流时，若第二电压VPP的电压值较小，则认为存储单元的写入深度较浅。本发明提高了判断浮栅写入深度的精确度。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业电流投资控制信息电路精确度测试电压专利沟道浮栅

上一篇：国网上海电力等申请工业用户电压暂降敏感程度动态评估方法专利，实现工艺全过程电压暂降敏感程度精准动态评估

下一篇：华虹宏力申请元胞区结构及其制作方法专利，获得更小栅漏电容

华虹宏力申请控制栅测试电压产生电路及测试沟道电流方法专利，提高判断浮栅写入深度的精确度

相关内容

热门资讯