方正微电子申请SiC开关器件及制备方法专利，有利于提高SiC开关器件的性能_资讯

方正微电子申请SiC开关器件及制备方法专利，有利于提高SiC开关器件的性能

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2026-01-21 17:10:54

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国家知识产权局信息显示，深圳方正微电子有限公司申请一项名为“一种SiC开关器件及制备方法”的专利，公开号CN121357927A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供一种SiC开关器件及制备方法，该制备方法包括提供一衬底层；在衬底层上设置外延层；在外延层上采用中温工艺制备过渡膜层，在过渡膜层上设置掩蔽层，掩蔽层暴露出部分过渡膜层；其中，中温工艺制备过渡膜层的制备温度为300℃至800℃；在掩蔽层背离过渡膜层的一侧对过渡膜层进行离子注入，并在外延层内形成掺杂区；去除过渡膜层和掩蔽层；本申请中通过中温工艺制备过渡膜层，相较于传统技术中采用高温工艺制备过渡膜层的方式，减少了金属离子与SiC反应的情况，有利于提高SiC开关器件的性能。

天眼查资料显示，深圳方正微电子有限公司，成立于2003年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本435416.904854万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳方正微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息864条，此外企业还拥有行政许可213个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资器件方正开关掩蔽过渡微电子工艺专利中温膜层 SiC

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