粤芯半导体申请屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法专利，提升屏蔽栅附近的电场分布质量并提升VDMOS器件的性能与质量_资讯

粤芯半导体申请屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法专利，提升屏蔽栅附近的电场分布质量并提升VDMOS器件的性能与质量

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2026-01-17 23:37:25

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国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构”的专利，公开号CN121357932A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构。目前VDMOS器件的沟槽深宽比过大使得在屏蔽栅多晶硅间隙填充过程中，容易出现底填充孔隙及贯穿沟槽的缝隙，该缝隙导致在后续刻蚀工艺中，屏蔽栅多晶硅顶部常容易形成叉子状形貌。本发明对原始多晶硅层进行快速热退火，利用快速高温退火技术促进原始多晶硅层中的晶粒生长，消除多晶硅沉积过程中的孔隙和缝隙形貌缺陷，得到无缝隙、平整密实的大晶粒多晶硅层，使得后续对所述大晶粒多晶硅层进行回刻不会形成V型形貌，最终得到平整密实的屏蔽栅多晶硅层避免产生叉子状形貌，从而提升屏蔽栅附近的电场分布质量并提升VDMOS器件的性能与质量。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目133次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1035条，此外企业还拥有行政许可129个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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