国家知识产权局信息显示,纳微半导体科技(合肥)有限公司取得一项名为“一种EMI抑制电路”的专利,授权公告号CN224068545U,申请日期为2025年4月。
专利摘要显示,本实用新型公开了一种EMI抑制电路,包括:低频共模抑制模块,用于抑制工频谐波及低频传导噪声,由三相铁氧体磁芯共模电感L1构成;差模泄放模块,用于泄放差模噪声,由X电容C1、X电容C2和X电容C3构成;高频共模抑制模块,用于抑制高频开关噪声及二极管反向恢复振铃,由三相共模电感L2构成;共模接地模块,用于引导共模噪声通过地线泄放,由Y电容C4、Y电容C5和Y电容C6构成,各Y电容一端分别连接三相线,另一端共地。本申请的EMI抑制电路通过两级共模电感、差模泄放模块与共模接地模块的协同设计,省略了差模电感,在保证共模噪声抑制能力的同时,缩减了电路体积和节省了成本。
天眼查资料显示,纳微半导体科技(合肥)有限公司,成立于2023年,位于合肥市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,纳微半导体科技(合肥)有限公司专利信息10条。
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