上海朗矽申请硅电容及其制作方法专利，显著提升多层薄膜硅电容的电容密度_资讯

上海朗矽申请硅电容及其制作方法专利，显著提升多层薄膜硅电容的电容密度

创始人

2026-01-15 09:09:14

0次

国家知识产权局信息显示，上海朗矽科技有限公司申请一项名为“硅电容及其制作方法、电子器件”的专利，公开号CN121335187A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种硅电容及其制作方法、电子器件，制作方法包括：获获取初始多层薄膜硅电容；基于初始多层薄膜硅电容得到多层深沟槽硅电容，基于多层深沟槽硅电容制作得到目标多层薄膜硅电容；相比于传统的单次只能蚀刻一个电极层和介质层，需形成台阶结构的多层硅电容制作方法，本公开硅电容的介质层层数不受限制，且每层介质层的面积得到有效提升，显著提升了多层薄膜硅电容的电容密度，且在一次刻蚀过程中可以同时刻蚀全部的电极层和介质层，在提升多层薄膜硅电容的电容密度的同时降低了制作成本，简化蚀刻工艺步骤，提高电容器的制作效率。

天眼查资料显示，上海朗矽科技有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本116.9591万人民币。通过天眼查大数据分析，上海朗矽科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示科技投资上海介质显著提升薄膜电容专利电极层硅电容介质层

上一篇：晶元光电申请发光元件及其制造方法专利，绝缘结构覆盖半导体叠层以避免电气短路

下一篇：深圳邦基线路板申请电路板蚀刻磨板生产线及生产方法专利，能够实现电路板的连续生产制造

上海朗矽申请硅电容及其制作方法专利，显著提升多层薄膜硅电容的电容密度

相关内容

热门资讯