武汉楚兴技术申请半导体结构及其制备方法和电子设备专利，提高半导体结构的电学性能和结构的稳定性_资讯

武汉楚兴技术申请半导体结构及其制备方法和电子设备专利，提高半导体结构的电学性能和结构的稳定性

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2026-01-12 10:12:42

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国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法和电子设备”的专利，公开号CN121311047A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体结构的电学性能和结构的稳定性。半导体结构包括：衬底，以及贯穿衬底表面的第一沟槽；金属层，设于第一沟槽下方；导电结构，贯穿第一沟槽的底部且与金属层连接；导电结构包括衬垫和阻挡层，阻挡层至少覆盖衬垫的侧壁和底部。上述半导体结构应用于电学连接。

天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可321个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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