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芯恩申请半导体工艺方法及半导体器件专利，抑制热载流子注入与短沟道效应

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2026-01-10 23:08:54

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国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体工艺方法及半导体器件”的专利，公开号CN121310567A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体工艺方法及半导体器件，方法包括：第一、第二阻挡层依次覆盖半导体结构表面，第一阻挡层薄于第二阻挡层；形成侧壁的第二阻挡层得到栅极结构侧壁及第二阻挡层底部的第一阻挡层；去除第二阻挡层；LDD离子注入形成阶梯型浅掺杂分布；漏极阻挡层为掩膜离子注入形成源漏重掺杂区。本发明多次设置阻挡层后局部去除，得到阶梯状阻挡层，LDD离子注入形成浓度梯度变化的浅掺杂分布来优化缓变结梯度，分散电场，抑制热载流子注入；同时深度梯度变化的浅掺杂分布使深结抑制漏电流、浅结抑制短沟道效应，双重抑制热载流子注入与短沟道效应；另外阻挡层材料设置控制阶梯分布；最后设置阻挡层厚度优化热载流子注入与短沟道效应抑制效果。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目190次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息933条，此外企业还拥有行政许可56个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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