基本半导体申请功率半导体器件栅极应力测试方法专利，有效地筛选出栅极存在潜在缺陷性问题的半导体功率器件_资讯

基本半导体申请功率半导体器件栅极应力测试方法专利，有效地筛选出栅极存在潜在缺陷性问题的半导体功率器件

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2026-05-06 17:15:55

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国家知识产权局信息显示，基本半导体（无锡）有限公司申请一项名为“功率半导体器件的栅极应力测试方法、装置、设备及介质”的专利，公开号CN121985788A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种功率半导体器件的栅极应力测试方法、装置、设备及介质。所述方法包括：获取待测试的功率半导体器件，将所述待测试的功率半导体器件的漏极和源极进行电性短接；在所述待测试的功率半导体器件的栅极和源极之间，施加高于额定工作栅压的栅源应力电压脉冲；测量施加栅源应力电压脉冲后的待测试的功率半导体器件在预设栅压下的栅极漏电流；将所述栅极漏电流的测量值与预设阈值进行比较，并根据比较结果筛选出存在栅极潜在缺陷的功率半导体器件。本发明有效地筛选出栅极存在潜在缺陷性问题的半导体功率器件。

天眼查资料显示，基本半导体（无锡）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45000万人民币。通过天眼查大数据分析，基本半导体（无锡）有限公司参与招投标项目10次，专利信息41条，此外企业还拥有行政许可10个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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