晶湛半导体申请半导体结构及其制造方法专利，提高半导体结构的整体质量和可靠性_资讯

晶湛半导体申请半导体结构及其制造方法专利，提高半导体结构的整体质量和可靠性

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2026-01-10 23:09:07

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国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121310573A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括层叠设置的金刚石衬底、SiC中间层以及器件层；其中，金刚石衬底靠近SiC中间层一侧包括多个间隔分布的第一凹槽，SiC中间层靠近金刚石衬底一侧包括多个间隔分布的第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽一一对应并形成空腔。本公开金刚石衬底、SiC中间层以及器件层的结构可降低衬底和器件因晶格失配和热失配产生的缺陷，从而提高半导体结构的整体质量和可靠性。

天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息324条，此外企业还拥有行政许可24个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造投资半导体晶湛的整体凹槽结构专利苏州金刚石衬底 SiC

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