国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“三维存储器及其制造方法”的专利,公开号CN121310540A,申请日期为2022年2月。
专利摘要显示,本发明提供一种三维存储器及其制造方法,所述制造方法包括:在衬底上形成第一区,所述第一区包括设置在所述衬底上的第一堆叠结构及第一沟道结构,所述第一沟道结构贯穿所述第一堆叠结构;在所述第一区上形成阵列共源极,所述第一沟道结构与所述阵列共源极连接;以及在所述阵列共源极上形成第二区,所述第二区包括第二堆叠结构及第二沟道结构,所述第二沟道结构贯穿所述第二堆叠结构、且与所述阵列共源极连接。在本发明实施例中,第一区与第二区垂直设置,且两者共用阵列共源极,能够克服形成沟道孔的工艺难度,实现高层数堆叠,并且能够减小第一沟道结构及第二沟道结构的沟道层的长度,降低沟道电阻,增加沟道电流,提高三维存储器的稳定性。
天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目1440次,财产线索方面有商标信息974条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可995个。
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来源:市场资讯