中兴通讯申请氮化镓器件及制备方法专利，提高了氮化镓器件的击穿电压和频率增益特性_资讯

中兴通讯申请氮化镓器件及制备方法专利，提高了氮化镓器件的击穿电压和频率增益特性

创始人

2026-01-10 17:09:07

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国家知识产权局信息显示，中兴通讯股份有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件、制备方法和芯片”的专利，公开号CN121310571A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种氮化镓器件、制备方法和芯片，氮化镓器件包括外延层和形成于外延层上的源极、漏极和栅极；漏极与外延层形成肖特基接触和阵列化间隔分布的欧姆接触，改善了漏极一侧的电场分布并降低了氮化镓器件的输出电容，提高了氮化镓器件的击穿电压和频率增益特性，从而使器件适用于宽带功放和更高频率范围，解决了相关技术中从降低漏电或调制电场分布的角度来提升器件的击穿电压的方案，无法适用于高频端的通讯系统的问题。

天眼查资料显示，中兴通讯股份有限公司，成立于1997年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本478353.4887万人民币。通过天眼查大数据分析，中兴通讯股份有限公司共对外投资了103家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息1864条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可207个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资器件频率提高了电压外延专利肖特基外延层氮化镓氮化镓器件

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