中芯国际申请二维材料晶体管结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能_资讯

中芯国际申请二维材料晶体管结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能

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2026-01-10 16:08:44

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种二维材料晶体管结构及其形成方法”的专利，公开号CN121310607A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种二维材料晶体管结构，包括：基底，包括衬底；有源区，位于所述衬底上；沟道结构，包括凸起部以及覆盖所述凸起部的侧壁的沟道层，所述凸起部凸立于所述有源区的衬底的顶部，所述沟道层的材料包括二维材料；介电层，覆盖所述沟道层的侧壁；栅极结构，横跨所述沟道层，且覆盖所述沟道层的部分顶部和部分侧壁。由于沟道层覆盖在凸起部的侧壁，垂直于水平面，相较于在水平面形成的二维材料器件结构，垂直于水平面所形成的二维材料器件沟道宽度增大，通过沟道的载流子变多；同时，通过合理的设计，二维材料与金属间维持了良好的接触。因此，使用二维材料作为沟道材料，并覆盖于凸起部的侧壁，能够提高沟道的载流子迁移率，进而提高半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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