原相科技申请CMOS影像传感器及其制造方法专利，提高光电二极管的量子效率
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2026-01-10 09:09:34
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国家知识产权局信息显示，原相科技股份有限公司申请一项名为“CMOS影像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121310675A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种CMOS影像传感器及其制造方法。该CMOS影像传感器包括：形成在硅基板中的光电二极管；以及形成在硅基板上的多层介电层，其中该多层介电层包括多个介电层依照顺序堆叠在一起，且该多层介电层实质上覆盖光电二极管的整个表面积；其中，任两个相邻介电层之间对应的两个折射率的差值小于预定差值，从而减少两个相邻介电层之间的光子反射损失，以提高光电二极管的量子效率。
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