1月8日,广州市人民政府办公厅印发《广州市加快建设先进制造业强市规划(2024—2035年)》。根据这份规划,广州市将大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造。
规划明确,将支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造,同时加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等关键材料的研发生产。
规划提出,将培育壮大化合物半导体IDM(集成器件制造)、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。此外,支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件的研发转化,以推动化合物半导体产品的推广应用。
该规划是广州市中长期产业发展蓝图的一部分,旨在加速培育包括半导体与集成电路在内的五个战略先导产业。此前,广东省已出台相关政策,将化合物半导体列为重点发展方向,并提出大力发展包括氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓在内的第三代半导体材料。
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来源:市场资讯