超致半导体申请半导体器件及其制备方法专利，获得较低的正向导通压降的同时减小了器件的关断时间和关断损耗_资讯

超致半导体申请半导体器件及其制备方法专利，获得较低的正向导通压降的同时减小了器件的关断时间和关断损耗

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2026-01-01 18:07:51

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国家知识产权局信息显示，上海超致半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121240475A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：超结结构，一个第一导电类型柱和相邻的一个第二导电类型柱形成超结单元；第一本征层，沿第二方向，第一本征层位于超结结构的一侧；多个元胞单元，与超结单元一一对应设置；元胞单元包括：载流子存储区和第二导电类型连接区，载流子存储区设置为第一导电类型，沿第一方向，载流子存储区与第二导电类型连接区相邻设置在第一本征层远离超结单元的一侧；第二导电类型体区，位于载流子存储区以及第二导电类型连接区远离超结单元的一侧；有源区，位于第二导电类型体区远离超结单元的一侧。本发明可以获得较低的正向导通压降的同时减小了器件的关断时间和关断损耗。

天眼查资料显示，上海超致半导体科技有限公司，成立于2015年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本597.8235万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超致半导体科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法导电投资单元器件损耗减小了导体专利类型征层连接区

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