芯恩申请硬掩膜结构及半导体工艺方法专利，降低硬掩膜结构对光刻图形传递失真风险_资讯

芯恩申请硬掩膜结构及半导体工艺方法专利，降低硬掩膜结构对光刻图形传递失真风险

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2026-01-01 09:10:31

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国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种硬掩膜结构及半导体工艺方法”的专利，公开号CN121237643A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种硬掩膜结构及半导体工艺方法，用于光刻胶图形传递的硬掩膜结构从下到上包括：低应力的底部TiN薄膜和高密度的中部TiN薄膜。本发明设置硬掩膜结构底部为低应力TiN薄膜，降低硬掩膜结构对半导体结构的压应力，降低硬掩膜结构对光刻图形传递失真风险；同时设置硬掩膜结构上部为高密度TiN薄膜，保证硬掩膜结构的刻蚀选择比，阻止TiN中氮元素向光刻胶扩散导致图案失真，优化低应力和高密度TiN硬掩膜折中后效果；另外通过对TiN中氮元素的有效阻挡，降低光刻胶与硬掩膜结构之间设置扩散阻挡层的需求，保证图形精度的同时降低工艺成本，提高工艺效率；最后通过设置顶部TiN薄膜，进一步降低硬掩膜结构对半导体结构的压应力对光刻图形传递的影响。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目190次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息924条，此外企业还拥有行政许可56个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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