芯合半导体申请多电流通道沟槽MOSFET器件专利，优化MOSFET器件的电场分布_资讯

芯合半导体申请多电流通道沟槽MOSFET器件专利，优化MOSFET器件的电场分布

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2025-12-29 17:09:18

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国家知识产权局信息显示，芯合半导体（合肥）有限公司申请一项名为“一种多电流通道的沟槽MOSFET器件及其制造方法”的专利，公开号CN121218656A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种多电流通道的沟槽MOSFET器件及其制造方法，可应用半导体技术领域，该结构包括：源极、隔离介质层、栅极结构、具有n级阶梯沟槽的外延结构、缓冲层、衬底层以及漏极；缓冲层、衬底层以及漏极依次设于外延结构的非沟槽侧；栅极结构设于外延结构的第1至第m级阶梯沟槽的侧壁；源极填充n级阶梯沟槽，通过隔离介质层与栅极结构隔离；外延结构中设有电流流向控制区域，隔离介质层上开有接触孔，源极通过接触孔与外延结构中的电流流向控制区域连接，形成欧姆接触；电流流向控制区域通过离子掺杂形成双向垂直沟道。如此，通过阶梯沟槽和电流流向控制区域的设置增加了电流通道，进而优化了MOSFET器件的电场分布。

天眼查资料显示，芯合半导体（合肥）有限公司，成立于2023年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16679.0706万人民币。通过天眼查大数据分析，芯合半导体（合肥）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

栅极电流投资沟槽器件外延电场通道导体结构芯合半导体介质层

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