盛美半导体申请边缘刻蚀位置的控制方法及装置专利，提升了边缘刻蚀位置控制的精确度_资讯

盛美半导体申请边缘刻蚀位置的控制方法及装置专利，提升了边缘刻蚀位置控制的精确度

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2025-12-27 16:08:05

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国家知识产权局信息显示，盛美半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“边缘刻蚀位置的控制方法及装置”的专利，公开号CN121215519A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种边缘刻蚀位置的控制方法及装置，属于半导体制造技术领域，其中方法包括：获取目标腔体的目标刻蚀宽度；基于所述目标腔体对应的预设修正函数和所述目标刻蚀宽度，确定所述目标腔体的设定刻蚀宽度，其中，预设修正函数是基于所述目标腔体的至少两组刻蚀宽度样本组确定的；基于所述设定刻蚀宽度，对所述目标腔体的边缘刻蚀位置进行控制。本申请的边缘刻蚀位置的控制方法减小了目标腔体内的实际刻蚀宽度与目标刻蚀宽度的偏差，提升了边缘刻蚀位置控制的精确度。

天眼查资料显示，盛美半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2005年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本47989.2514万人民币。通过天眼查大数据分析，盛美半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目171次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息652条，此外企业还拥有行政许可31个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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