长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，提高半导体结构的集成度_资讯

长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，提高半导体结构的集成度

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2025-12-26 13:38:11

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121218582A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：衬底；位于衬底上的第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元沿第一方向排布，第一方向平行于衬底所在平面；第一存储单元包括第一源漏区、第一沟道区和第二源漏区，第一沟道区沿第一方向延伸，第一源漏区和第二源漏区位于第一沟道区沿第二方向的同侧；第二存储单元包括第三源漏区、第二沟道区和第四源漏区，第二沟道区沿第一方向延伸，第三源漏区和第四源漏区位于第二沟道区沿第二方向的同侧；第一位线，第一位线沿竖直方向延伸，第一位线位于第一源漏区沿第一方向的一侧且与第一源漏区电连接；第二位线，第二位线沿竖直方向延伸，第二位线位于第三源漏区沿第一方向的一侧且与第三源漏区电连接。上述半导体结构可以提高半导体结构的集成度。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息625条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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