荣芯半导体申请钝化层结构及其制作方法专利，提升半导体器件的电学性能_资讯

荣芯半导体申请钝化层结构及其制作方法专利，提升半导体器件的电学性能

创始人

2025-12-08 12:38:39

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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“钝化层结构及其制作方法”的专利，公开号CN121076019A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本申请提供一种钝化层结构及其制作方法，所述结构包括依次堆叠的氧化铪层、氧化铪与石墨烯量子点组成的复合材料层、石墨烯量子点层以及氟化非晶碳层。所述氧化铪层、所述复合材料层、所述石墨烯量子点层以及所述氟化非晶碳层共同组成钝化层结构，四层材料层协同作用，实现界面缺陷钝化、电荷调控以及环境防护等多重功能，具有高介电性能、低界面缺陷、强机械稳定性及高环境耐受性，提升了半导体器件的电学性能。

天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息71条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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