上海新昇申请一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器专利，达到有效的吸杂效果_资讯

上海新昇申请一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器专利，达到有效的吸杂效果

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2025-12-06 21:08:29

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国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器”的专利，公开号CN121075908A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请提供一种衬底及其制造方法、CMOS图像传感器，衬底应用于CMOS图像传感器，制造方法包括：提供本体衬底，本体衬底具有相对的第一表面和第二表面，其中本体衬底中含有金属杂质；在第一表面沉积形成第一多晶硅层，在第二表面沉积形成第二多晶硅层，通过第一多晶硅层和第二多晶硅层吸附本体衬底中的至少部分金属杂质；去除全部第一多晶硅层和第二多晶硅层以及部分本体衬底。本申请通过在本体衬底的双面分别沉积多晶硅层，利用多晶硅的晶界和缺陷丰富的结构，提高高能吸附位点，将本体衬底中的金属杂质迁移到多晶硅层并封存，然后去除吸杂后的多晶硅层，从而达到有效的吸杂效果，保障器件的品质。

天眼查资料显示，上海新昇半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2076次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息742条，此外企业还拥有行政许可225个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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