铠侠申请半导体装置及其制造方法专利，能够更恰当地形成线_资讯

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2025-12-06 16:08:13

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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121076039A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种能够更恰当地形成线的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备多个垫、凸块及多个线。凸块设置在相邻2个垫的其中一个垫上。多个线设置在相邻2个垫的另一个垫及凸块上。线具有球部及线部。球部与相邻2个垫的另一个垫或凸块接合。线部从球部延伸。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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