美光申请具有输入缓冲器电路的半导体装置专利，可根据控制码信号控制晶体管开关状态
创始人
2025-12-05 20:37:55
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“具有输入缓冲器电路的半导体装置”的专利，公开号CN121075387A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本公开涉及一种具有输入缓冲器电路的半导体装置。一种实例设备包含：彼此交叉耦合的第一及第二反相器；耦合在第一与第三电路节点之间的第一晶体管；耦合在第二与第四电路节点之间的第二晶体管；并联耦合在第三电路节点与第二电源线之间的多个第三晶体管；以及并联耦合在所述第四电路节点与所述第二电源线之间的多个第四晶体管。当控制码信号指示第一值时：使所述多个第三晶体管中的至少一者进入关断状态；使所述多个第三晶体管中的剩余一或多者进入导通状态；使所述多个第四晶体管中的至少一者进入关断状态；且使所述多个第四晶体管中的剩余一或多者进入导通状态。
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来源：市场资讯
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