京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，明确透明导电结构厚度范围_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，明确透明导电结构厚度范围

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2025-12-03 23:08:30

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121057378A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、介质层、透明导电结构和反射层；介质层具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，介质层还具有多个间隔排列的介质孔；外延结构位于介质层的第一表面，透明导电结构位于介质孔的底面和侧壁，反射层的主体位于介质层的第二表面，且反射层的连接部位于介质孔内，通过透明导电结构与介质层及外延结构连接，透明导电结构的厚度为20～100埃。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目95次，专利信息585条，此外企业还拥有行政许可49个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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