长鑫芯瑞存储取得半导体结构及其形成方法、电子设备专利_资讯

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2025-11-28 19:38:08

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国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法、电子设备”的专利，授权公告号CN120812937B，申请日期为2025年9月。

天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息20条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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