MMUN2111LT1G 是一款高性能的 PNP 型数字晶体管，设计用于各种电子应用中，尤其适合高频开关电路和线性放大电路。这款晶体管由知名半导体制造商安森美（ON Semiconductor）出品，采用了广泛认可的 SOT-23-3（TO-236）封装，便于在紧凑设计中使用。

特点：

• 高电流处理能力： MMUN2111LT1G 最大集电极电流（Ic）可达 100mA，适合多种驱动负载的场合。
• 低饱和压降： 在多种工作条件下保持较低的 Vce（饱和压降），最大值为 250mV，这确保了电能的高效利用和器件发热的降低。
• 较强的电压耐受性： 集射极击穿电压（Vceo）高达 50V，使其在多种电源条件下能稳定工作，同时也能有效应对稍微超出额定值的电压干扰。
• 出色的直流电流增益（hFE）： 该晶体管在 5mA 的基极电流（Ib）和 10V 的集电极-基极电压下，提供至少 35 的电流增益，确保了信号的高效放大。

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规格参数：

产品种类: 数字晶体管

RoHS:

配置: Single

晶体管极性: PNP

典型输入电阻器: 10 kOhms

典型电阻器比率: 1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 35

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mA

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 246 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMUN2111L

直流电流增益 hFE 最大值: 35

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: Digital Transistors

工厂包装数量：3000

子类别: Transistors

宽度: 1.3 mm

单位重量: 1.400 g

引脚图：