美新半导体申请一种三轴磁传感器专利,实现在同一芯片上三轴磁场的探测
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2025-11-28 15:07:29
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国家知识产权局信息显示,美新半导体(无锡)有限公司、美新半导体(绍兴)有限公司申请一项名为“一种三轴磁传感器”的专利,公开号CN121027941A,申请日期为2025年9月。

专利摘要显示,本发明提供一种三轴磁传感器,其包括:第一各向异性磁电阻传感单元,其用于感测X轴方向的外磁场以产生X轴感测电压;第二各向异性磁电阻传感单元,其用于感测Y轴方向的外磁场以产生Y轴感测电压;反常霍尔单元,其用于感测Z轴方向的外磁场以产生Z轴感测电压;信号处理电路,其与第一各向异性磁电阻传感单元、第二各向异性磁电阻传感单元和反常霍尔单元电性连接。与现有技术相比,本发明将磁阻技术制造与反常霍尔效应相结合,采用完全的平面工艺制造三轴磁传感器,实现在同一芯片上三轴磁场的探测,且三轴敏感单元在同一层上,降低了工艺制造的难度。

天眼查资料显示,美新半导体(无锡)有限公司,成立于1999年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1750万美元。通过天眼查大数据分析,美新半导体(无锡)有限公司参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息211条,此外企业还拥有行政许可25个。

美新半导体(绍兴)有限公司,成立于2020年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析,美新半导体(绍兴)有限公司参与招投标项目6次,专利信息18条,此外企业还拥有行政许可4个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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