镓仁半导体取得P型β-Ga₂O₃单晶薄膜及其制备方法和应用专利
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2025-11-27 15:36:32
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国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司取得一项名为“一种P型β-Ga₂O₃单晶薄膜及其制备方法和应用”的专利，授权公告号CN120666438B，申请日期为2025年8月。
天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本148.0918万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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