中芯国际申请半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件专利，可形成电性能可靠性高的半导体结构_资讯

中芯国际申请半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件专利，可形成电性能可靠性高的半导体结构

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2025-11-25 14:09:53

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件”的专利，公开号CN 121001355 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件。半导体结构的形成方法通过先形成具有不同深宽比的沟槽结构的初始半导体结构，后续先对高宽深比的沟槽结构进行填充，以在高宽深比的沟槽结构内填充满所述第一隔离材料，在所述低宽深比的沟槽结构的局部区域填充所述第一隔离材料，再基于酸性溶液去除低宽深比的沟槽结构中侧壁区域的第一隔离材料，向所述高宽深比的沟槽结构的表面和低宽深比的沟槽结构内沉积第二隔离材料，依次进行抛光和高温退火处理，即可形成电性能可靠性高的半导体结构。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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