8月28日晚，宏微科技(688711)发布2025年半年度报告。报告期内，公司实现营业收入6.80亿元，同比增长6.86%；归属于上市公司股东的净利润297.80万元，同比增长18.45%。公司称，上半年功率半导体行业虽存在复苏迹象，但价格竞争、宏观经济波动等挑战依然存在，公司通过持续的技术突破与市场深化，实现了营收的稳健增长与盈利的持续改善。

报告期内，宏微科技持续加大研发投入，2025年上半年研发费用5856.61万元，占营业收入的比重提升至8.61%，研发费用同比增长8.64%，且研发人员总数达220人，其中硕博人才占比超过20%，专利累计达到139项，技术积累进一步巩固。

客户层面，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源发电皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源。同时，依托龙头客户产生的市场效应，宏微科技不断向行业内其他企业拓展，凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方面的卓越成就，进一步巩固了其在行业内的领先地位。

在技术创新方面，宏微科技在IGBT、FRD、SiC、GaN等核心技术领域持续取得进展，依托“芯片+单管+模块”产品结构，公司正加速构建覆盖新能源汽车、光伏、储能等高端应用的产品矩阵。其中，第三代半导体取得实质性突破：公司首款1200V 40mohm SiC MOSFET 芯片、1200V 13mohm SiC MOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；自主研发的SiC SBD芯片已经通过多家终端客户可靠性和系统级验证部分产品已形成批量出货；自研GaN 650V 75mohm芯片成功完成内部验证并进入客户导入阶段，将为AI服务器电源和人形机器人等高增长市场打开空间，进一步强化了宏微科技在宽禁带半导体技术路线的战略竞争力。

宏微科技表示，面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。

报告期内，公司与华虹宏力签署为期五年的战略合作备忘录，延续并深化了2024年在12英寸晶圆工艺方面的探索，升级为长期协作。双方围绕IGBT、FRD等核心产品展开联合开发，推动工艺迭代与平台优化，显著增强了产品的国际对标能力。

近期，宏微科技正通过多维度战略协作不断拓展纵深。公司与合肥综合性国家科学中心能源研究院携手，推动功率器件可靠性评测技术创新；与国家怀柔能源实验室合作，聚焦碳化硅（SiC）芯片、器件及模块在新型电力系统中的应用；与瀚海聚能开展联合探索，前瞻性布局功率半导体在核聚变装置中的应用场景。