中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低了半导体结构中产生泄露电流的风险_资讯

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低了半导体结构中产生泄露电流的风险

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2025-08-23 19:33:16

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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120529616A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，所述基底包括沟道区域以及位于所述沟道区域两侧的源漏区域；绝缘层，位于所述沟道区域的基底顶部；沟道结构层，悬置于所述绝缘层的顶部，所述沟道结构层包括一个或多个在纵向上间隔设置的沟道层；器件栅极结构，位于所述绝缘层的上方且环绕覆盖所述沟道结构层；源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的源漏区域的基底顶部，且所述源漏掺杂层覆盖所述沟道结构层的侧壁。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可449个。

来源：金融界

企业方法显示栅极电流降低中芯国际导体结构专利基底半导体沟道中芯绝缘层

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