自从芯片诞生之后，就一直遵循摩尔定律来发展，即晶体管密度18个月到24个月翻一倍，其实也就是工艺在2年内至少升级一次。

而推动芯片工艺不断升级的引擎是什么？其实就是光刻机，因为决定工艺前进最重要的设备，或技术，就是光刻机的精度。

所以我们看到，光刻机技术，是一代又一代的，不断进步，不同的光刻机，对应着不同的芯片工艺，从G线到IG，到KrF，到ArF，再到ArFi、EUV。

可以说第一代新的光刻机推出，就要推动芯片工艺再次前进几次，比如ArFi浸润式光刻机，可以推动芯片工艺，从55nm，进入40nm，一直到7nm。

接着芯片工艺要再前进，就需要用到EUV光刻机，再推动工艺从7nm进入5nm、3nm，如果没有EUV光刻机，就可能一直停在7nm了。

可以说，光刻机就真的是推动芯片工艺前进的引擎，没有新的光刻机，芯片工艺就要原地踏步。

而进入EUV光刻机时代，ASML也推出了好几代EUV技术，第一代技术，标准数值孔径NA=0.33的EUV光刻机，也有人称之为“LOW NA EUV光刻机”。

这种LOW NA EUV光刻机，能够制造2nm左右的芯片，是NA比较低的一种，所以是LOW

接着ASML计划推出High NA EUV，NA=0.55，这种最高可以制造1nm左右的芯片，目前ASML已经向英特尔交付了一台，intel计划在2nm时就采用它。

而在这种光刻机之后，则是Hyper NA EUV，数值孔径NA=0.77，可以制造1nm以下芯片。

不过，ASML虽然规划非常好，但实际上到了High NA EUV，NA=0.55时，EUV的技术，其实已经发展到极限了。

这个Hyper NA EUV能不能推出，什么时候推出，ASML也没有把握，其技术人员甚至表示，也许有可能High NA EUV就是最后一代了。

前面提到过，芯片工艺的前进，现在全靠光刻机突破，如果光刻机不突破，也许工艺就前进不了。

而目前ASML也不确定Hyper NA EUV能不能推出，可见，接下来芯片工艺前进可能会遇到较大阻力了，因为引擎可能要熄火了啊。

而如果芯片工艺不能前进了，对于美国而言就不是好事情了，美国芯片产业非常强大，靠的就是因为它领先全球，不断的推动ASML，以及其它设备厂商改进设备，一起赚钱。

一旦工艺不再前进了，大家也不能再继续升级设备来赚钱了，你说怎么办？

更重要的是，美国靠着自己掌握先进工艺，而制裁其它国家和地区，让其它国家和地区只能买美国的先进芯片，而一旦工艺停止，那么其它国家和地区，可能很快就会追上来，那美国的领先地位没有了，又该怎么办？

可能真的要换材料了，硅基芯片开发到极限，就要换成碳基芯片，石墨烯芯片，甚至直接量子芯片之类的了。