中芯集成-U申请半导体器件及其制备方法专利，能够有效监测电阻器层是否被打穿，保障产品质量
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2024-06-18 08:14:24
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金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法“，公开号CN202410344955.2，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成图案化的第一导电层；在第一导电层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成电阻器层、第一接触垫和第二接触垫；在第一接触垫和第二接触垫之外的电阻器层上、第一接触垫上和第二接触垫上形成第三绝缘层；图案化第三绝缘层，形成第一通孔和第二通孔，并在第一通孔和第二通孔中填充连接金属，其中，第一通孔到达第一接触垫，第二通孔到达第二接触垫；在第三绝缘层上方形成间隔设置第一金属块和第二金属块。根据本申请制备方法制备的半导体器件，能够有效监测电阻器层是否被打穿，保障产品质量。
来源：金融界
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