华虹半导体申请晶片的预清洗方法专利,改善了器件的饱和漏电流
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2026-09-13 11:06:47
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国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司申请一项名为“晶片的预清洗方法”的专利,公开号CN122742650A,申请日期为2026年5月。

专利摘要显示,本申请公开了一种晶片的预清洗方法,包括:将晶片传送至清洗机台的清洗槽中,使用包含SPM的清洗溶液对晶片进行第一清洗,晶片上形成有原生氧化物层,SPM包括硫酸和双氧水,在第一清洗后,在晶片的表面形成有保护层;将晶片传送至ONB机台的清洗槽中,使用包含氢氧化铵和臭氧的清洗溶液进行第二清洗,在第二清洗的过程中,保护层用于降低晶片的表面被刻蚀形成粗糙缺陷的几率,在第二清洗后,晶片表面的杂质被去除;将晶片传送至干燥机台进行干燥处理。本申请能够改善半导体器件在硅‑二氧化硅界面的粗糙度,降低了载流子的粗糙度散射,进而提升了沟道的载流子迁移率,改善了器件的饱和漏电流,提高了其电学性能。

天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2952次,专利信息2165条,此外企业还拥有行政许可119个。

华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目378次,专利信息281条,此外企业还拥有行政许可234个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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