国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司申请一项名为“静电吸盘的温度监控方法”的专利,公开号CN122742657A,申请日期为2026年5月。
专利摘要显示,本申请公开了一种静电吸盘的温度监控方法,包括:将控片传送至刻蚀设备的工艺腔室中,使控片吸附在工艺腔室中的静电吸盘上,该控片用于量测刻蚀设备的刻蚀速率,该控片包括晶圆和形成于晶圆上的测试薄膜;在预设的射频环境下通入惰性气体对静电吸盘进行升温处理,升温处理的时间为预设时间,该预设时间大于稳态时间,稳态时间是静电吸盘在刻蚀过程中从开始升温到温度稳定的时间;进行刻蚀;将控片传送出工艺腔室,通过控片上测试薄膜被刻蚀的厚度确定刻蚀设备的刻蚀速率;根据刻蚀速率确定静电吸盘的温度均一性是否存在问题。本申请实施例能够使控片在静电吸盘达到温度稳定后进行测量,得到的刻蚀速率能够更加准确地反应静电吸盘的温度均一性。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2953次,专利信息2165条,此外企业还拥有行政许可119个。
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来源:市场资讯