长鑫科技获得发明专利授权：“一种半导体结构和存储器”_资讯

长鑫科技获得发明专利授权：“一种半导体结构和存储器”

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2026-09-12 02:58:33

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构和存储器”，专利申请号为CN202310863423.5，授权日为2026年9月4日。

专利摘要：本公开提供了一种半导体结构和存储器，半导体结构包括A个反熔丝阵列和A个比较模块；A个比较模块沿第一方向依次排列，A个反熔丝阵列沿第一方向依次排列，且1个比较模块和1个反熔丝阵列沿第二方向排列；每一反熔丝阵列存储有2个损坏行地址，每一比较模块用于形成2个地址比较器，地址比较器用于将目标行地址与一个损坏行地址进行比较。

今年以来长鑫科技新获得专利授权39个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元，同比增51.27%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1084次；财产线索方面有商标信息420条，专利信息715条，著作权信息25条；此外企业还拥有行政许可44个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

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