兆驰半导体申请氮化镓缓冲层制备方法及磁控溅射装置专利，实现同质外延消除晶格失配_资讯

兆驰半导体申请氮化镓缓冲层制备方法及磁控溅射装置专利，实现同质外延消除晶格失配

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2026-09-05 11:57:11

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国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓缓冲层制备方法及磁控溅射装置”的专利，公开号CN122687143A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓缓冲层制备方法及磁控溅射装置，所述磁控溅射装置包括真空腔室、热屏蔽挡板、靶材安装区、衬底承载区、脉冲直流电源，靶材安装区设有主动冷却液态靶托系统，主动冷却液态靶托系统包括靶托本体、循设于靶托本体底部的循环冷却通道、冷却介质循环回路、PID温度控制器及温度联锁保护装置，衬底承载区设有基座及衬底加热器，脉冲直流电源与靶托本体及腔室壁体电连接，采用金属镓靶材替代铝靶材，在衬底上直接溅射制备GaN缓冲层，实现同质外延，消除晶格失配，通过主动冷却靶托系统控温，结合脉冲直流自清洁效应清除靶面氧化膜，解决镓靶材熔化流淌难题；热屏蔽挡板实现靶材安装区与衬底承载区空间热隔离，确保双温区独立控温。

天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1744条，此外企业还拥有行政许可62个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业兆驰缓冲投资同质脉冲冷却外延导体专利靶托缓冲层靶材衬底磁控溅射装置

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