德州仪器申请雪崩光电二极管专利，实现APD与MOS电路集成于同一半导体层
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2026-09-04 20:22:53
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“雪崩光电二极管”的专利，公开号CN122699410A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本公开涉及雪崩光电二极管。集成电路(200)包含第一半导体层(210)、所述第一半导体层上的第二半导体层(212)、所述第二半导体层的第一区中的雪崩光电二极管APD(202)；以及所述第二半导体层的第二区中的金属氧化物半导体MOS电路(204、206和208)。所述第二半导体层比所述第一半导体层更轻地掺杂有特定类型的掺杂剂。在一个示例中，所述APD包含：第一类型的第一半导体层(214)，其包含所述第一类型的掺杂剂和第二类型的第一掺杂剂；以及所述第二类型(216)的第一区，其耦合到所述第一半导体层的第一区域，其中所述第一半导体层中的所述第二类型的所述第一掺杂剂的峰值浓度高于所述第二类型的所述第一区中所述第二类型的掺杂剂的峰值浓度。
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