)
很多人选MOS的时候,
看到参数表写着:
VGS(th)=2V。
于是心想:
“我用3.3V驱动,肯定够了吧?”
结果MOS是导通了,
但一带大电流,
烫得离谱。
问题就出在一个误区:
不代表它已经:完全导通!
)
VTH是什么?
你可以把它理解成:
MOS刚刚把门推开一条缝的电压。
)
这时候虽然已经有电流,
但D、S之间的导通电阻,
也就是 RDS(on),
可能还很大。
而MOS的导通损耗大约是:
)
P=I²×RDS(on)
注意这个平方。
电流一大,
RDS(on)哪怕只高一点,
发热都会明显增加。
所以看MOS数据手册,
千万别只盯着:
VGS(th)。
更重要的是看:
RDS(on)是在多大的VGS下标定的。
比如一颗MOS,
VTH只有2V,
但最低RDS(on)是在:
VGS=10V
条件下给出的。
那你用3.3V去驱动,
它可能确实“开了”,
但根本没开透。
所以记住一句话:
MOS发热,
很多时候不是它耐不住电流,
而是你的Gate,
根本没把它真正推开。
好啦!点个不要钱的小心心顺便关注一下吧,我们一起成长!