英诺赛科申请平面变压器及功率电路专利，能够降低平面变压器的成本_资讯

英诺赛科申请平面变压器及功率电路专利，能够降低平面变压器的成本

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2026-09-02 19:02:49

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国家知识产权局信息显示，英诺赛科（深圳）半导体有限公司申请一项名为“平面变压器、功率电路”的专利，公开号CN122677287A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种平面变压器、功率电路。所述平面变压器包括：四层导电层，包括两层中间导电层以及两层外层导电层；所述四层导电层内形成有第一初级绕组、第二初级绕组和次级绕组；所述第一初级绕组包括第一螺旋轨迹，所述第二初级绕组包括第二螺旋轨迹；所述第一螺旋轨迹和所述第二螺旋轨迹共同位于所述两层中间导电层或者共同位于所述两层外层导电层；且所述第一螺旋轨迹的至少部分和所述第二螺旋轨迹的至少部分位于不同的导电层；所述第一螺旋轨迹具有第一端和第二端，所述第二螺旋轨迹具有第一端、第二端和抽头端；所述第一螺旋轨迹的第一端和所述第二螺旋轨迹的第一端互为同名端；所述第一螺旋轨迹和所述第二螺旋轨迹的螺旋方向相同；所述次级绕组与所述第一螺旋轨迹及所述第二螺旋轨迹位于不同的导电层；且与所述第一螺旋轨迹及所述第二螺旋轨迹磁耦合。本发明能够降低平面变压器的成本。

天眼查资料显示，英诺赛科（深圳）半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（深圳）半导体有限公司专利信息30条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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