志橙半导体申请电阻率可调SiC层级结构专利，实现SiC层级结构电阻率区间的定向制备_资讯

志橙半导体申请电阻率可调SiC层级结构专利，实现SiC层级结构电阻率区间的定向制备

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2026-09-02 13:23:06

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国家知识产权局信息显示，广州志橙半导体有限公司申请一项名为“一种电阻率可调的SiC层级结构、生长方法及半导体器件”的专利，公开号CN122669367A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种电阻率可调的SiC层级结构、生长方法及半导体器件，包括：根据待制备SiC层级结构的目标电阻率区间，选取沉积参数组，沉积参数组包括沉积温度T0、沉积压力P0和混合气体比例B；混合气体比例B为含硅碳源气体、氢气和惰性气体的流量比；以石墨为基材置入于沉积室中进行高温纯化的预处理，之后控制沉积室至预沉积温度T1；按照混合气体比例B向沉积室通入含硅碳源气体、氢气和惰性气体，维持沉积温度T0和沉积压力P0，在基材表面沉积SiC层级结构；通过目标电阻率区间与沉积参数组的对应选取，实现SiC层级结构电阻率区间的定向制备，有利于提高生产效率，改善产品性能。

天眼查资料显示，广州志橙半导体有限公司，成立于2020年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州志橙半导体有限公司参与招投标项目19次，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可49个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业区间显示投资广州半导体电阻率层级结构专利参数组气体沉积室

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