敏芯半导体申请金属环电极制作方法专利，保障台面探测器的结构性能_资讯

敏芯半导体申请金属环电极制作方法专利，保障台面探测器的结构性能

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2026-09-02 10:26:10

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国家知识产权局信息显示，武汉敏芯半导体股份有限公司申请一项名为“金属环电极的制作方法、金属环电极以及台面探测器”的专利，公开号CN122679738A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种金属环电极的制作方法、金属环电极以及台面探测器，该制作方法包括：在衬底上光刻形成具有环形台阶槽的光刻胶层；将带有光刻胶层的衬底置于电子束蒸发设备中，使衬底进行行星运动，通过电子束蒸发设备对光刻胶层及环形台阶槽进行行星模式金属蒸发镀膜，以形成阻挡层。调整衬底的姿态，使衬底进行穹顶运动，通过电子束蒸发设备对阻挡层进行穹顶模式金属蒸发镀膜，以形成导电功能层；其中，在沿环形台阶槽的径向方向上，阻挡层的两端分别延伸至导电功能层的两端外。剥离光刻胶层以及位于光刻胶层上的阻挡层和导电功能层，得到金属环电极，继而实现阻挡层对导电功能层的全覆盖、无死角遮挡，以保障台面探测器的结构性能。

天眼查资料显示，武汉敏芯半导体股份有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6608.7794万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉敏芯半导体股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息122条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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