歌尔微电子申请微机电结构、传感器及电子设备专利，第二电极层与第一子电极形成第一电容结构_资讯

歌尔微电子申请微机电结构、传感器及电子设备专利，第二电极层与第一子电极形成第一电容结构

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2026-09-01 12:43:24

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国家知识产权局信息显示，歌尔微电子股份有限公司申请一项名为“微机电结构、传感器及电子设备”的专利，公开号CN122671063A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种微机电结构、传感器及电子设备，所述微机电结构包括衬底层、绝缘层、第一电极层、第二电极层和密封层；所述第二电极层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分连接于所述第二部分与所述第三部分之间，所述第一部分与所述第二部分之间具有夹角，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分与所述第一电极层围合成腔室，且所述第一部分开设有贯穿的释放孔；所述密封层设于所述第一部分的远离所述第一电极层的一侧，所述密封层密封所述释放孔；其中，所述第二电极层与所述第一子电极形成第一电容结构，所述第二电极层与所述第二子电极形成第二电容结构。

天眼查资料显示，歌尔微电子股份有限公司，成立于2017年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本61243.8891万人民币。通过天眼查大数据分析，歌尔微电子股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目128次，专利信息1934条，此外企业还拥有行政许可23个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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