来源：猎云网

近日，高端薄膜沉积设备研发制造商研微半导体完成近15亿元B轮融资，中电科产业基金、中车资本、京东方等相关产业方战略入股；中金资本、沃衍资本、华泰紫金、博华产投、招银 AIC、中银 AIC、厚纪资本、硬核坚果资本、高信资本、山证创新投资、高粱资本等加持。与此同时，锡高投、湖杉资本、欣柯资本、典实资本、泰达科投、临芯投资、新尚资本、襄禾资本等老股东持续追加投资。

据了解，本轮融资将继续重点用于核心产品迭代、产能建设及研发扩容，进一步巩固公司在半导体高端薄膜沉积设备领域的技术优势，加速推进设备国产化替代进程。

研微（江苏）半导体科技有限公司成立于2022年10月，专注于半导体高端薄膜沉积设备研发、生产与销售，精准切入芯片制造核心工序，以高端ALD（原子层沉积）、PECVD（等离子体增强化学气相沉积）及特色外延设备为核心，产品覆盖逻辑芯片、存储芯片、先进封装、功率器件、射频元件等领域，形成全场景产品矩阵，打通研发、工艺验证到量产交付全链条。

Spritz thermal ALD：广泛应用于HKMG金属层沉积、NAND WL、DRAM bWL和SN区域的薄膜填充。通过先进的进气、混气及匀流系统设计,极大地提升了薄膜均匀性、颗粒控制、设备产能及运行稳定性，从而降低客户综合使用成本。

Fluxus基于层状流腔体架构，创新性的双腔设计，搭配高产能的 Celeritas-8 传输和智能化的 Exsequi 软件平台，极大地提升了设备的产能和稳定性。此外 Fluxus Thermal ALD 配备了多种先进的核心部件，极大地提升了腔体稳定性、薄膜均匀性、腔体寿命，降低客户综合使用成本。

Auratus PEALD：广泛应用与集成电路高端制成及先进封装等领域的介质薄膜沉积与界面工程。采用紧凑型反应腔设计，通过多物理场协同优化（流场、热场、等离子体分布），在薄膜致密度、台阶覆盖率、批次稳定性等关键指标上具有明显优势，为先进封装提供了可靠的技术保障。

RP EPI：主要应用于异质外延层（SiGe/Si或是SiP/Si)生长。适用于Channel/NMOS/PMOS应用，拥有卓越的电性和缺陷控制；旨在逻辑芯片高端CMOS工艺上提高电子或是空穴的迁移率，进而提升器件性能；同时可应用于硅光领域的纯锗外延生长，是硅光传感器等器件的重要外延工艺平台。

研微半导体董事长/CEO林兴博士表示：“未来，公司将继续聚焦核心产品迭代升级，丰富产品矩阵，致力于成为半导体薄膜沉积设备领域领军企业，助力半导体产业自主可控发展。”